Intel pokrenuo 3D tranzistorsku revoluciju

Kompanija je u srijedu najavila da će ove godine u masovnu proizvodnju uvesti tranzistore s trodimenzionalnom strukturom, u čipu pod kodnim nazivom Ivy Bridge, piše Bankamagazine.hr.

Revolucionarni trodimenzionalni dizajn tranzistora pod nazivom Tri-Gate Intel je prvi puta predstavio 2002. godine. Riječ je o najvećem dostignuću u razvoju tranzistora od otkrića silicijskih trnzistora prije više od 50 godina. Nova tehnologija će, tvrde u Intelu, biti temelj za nove generacije računala koje dolaze.

Trodimenzionalni tranzistori Tri-Gate veliki su iskorak u odnosu na dvodimenzionalnu, planarnu strukturu tranzitora koja se danas primjenjuje. Omogućavaju rad čipova pri manjem naponu i uz manji gubitak energije, a u čip se mogu smjestiti mnogo kompleksniji sklopovi.

Trodimenzionalna struktura omogućit će da se održi ritam Mooreova zakona koji govori o brzini razvoja silicijske tehnologije. Prema tom zakonu, koji je dobio ime po suosnivaču Intela Gordonu Mooreu, gustoća tranzistora udvostručuje se približno svake dvije godine, dok se istodobno povećava broj funkcija i performanse, a smanjuju troškovi.

http://c.brightcove.com/services/viewer/federated_f9?isVid=1&isUI=1

U skladu s Mooreovim zakonom tranzistori postaju sve manji, jeftiniji i energetski učinkovitiji. No, dimenzije uređaja koji se temelje na tranzistorima postale su tako male da su fizikalni zakoni postali prepreka daljnjem napretku. Primjenom trodimenzionalne tehnologije u masovnoj proizvodnji Intel najavljuje novo doba u primjeni Mooreova zakona i otvara prostor za novu, inovativnu generaciju uređaja, od računala, mobitela, elektroničkih upravljačkih sustava, potrošačke elektronike, kućanskih aparata, medicinskih uređaja i svih ostalih uređaja čiji se rad temelji na tranzistorima.

“Već godinama smo svjesni ograničenja koliko mali tranzistori mogu biti. Ova promjena u osnovnoj strukturi je doista revolucionarna", rekao je Gordon Moore o novom Intelovom dostignuću.

Nova tehnologija će se u masovnoj proizvodnji primijeniti na 22-nanometarskoj razini (nanometar je milijarditi dio metra). Pri nsikom naponu 22-nanometarski 3D tranzistori Tri-Gate nude povećanje performansi od maksimalno 37 posto u odnosu na Intelove 32-nanometarske planarne tranzistore, a troše barem 50 posto manje energije uz performanse jednake planarnim čipovima.